東莞理工學(xué)院2023年全國碩士研究生入學(xué)考試《電子技術(shù)基礎(chǔ)》考試大綱

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東莞理工學(xué)院2023年全國碩士研究生入學(xué)考試《電子技術(shù)基礎(chǔ)》考試大綱

第一部分 考試說明

一、考試性質(zhì)

《電子技術(shù)基礎(chǔ)》是報(bào)考電子信息專業(yè)的考試科目之一。為幫助考生明確考試復(fù)習(xí)范圍和有關(guān)要求，特制定出本考試大綱。

本考試大綱適用于報(bào)考東莞理工學(xué)院電子信息專業(yè)2023年全國碩士研究生入學(xué)考試的準(zhǔn)考考生。

二、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)

(一)答題時(shí)間：180分鐘

(二)答題方式：閉卷，筆試(需考生自備計(jì)算器、畫圖工具)

(三)總分：150分

(四)試卷結(jié)構(gòu)：填空題10%，判斷題10%，選擇題20%，分析計(jì)算題60%。

三、參考書目

1.《電子技術(shù)基礎(chǔ)(模擬部分第六版)》，康華光主編，高等教育出版社，2013年

2.《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)明教程》(第四版)，余孟嘗原著，高等教育出版社，2018年

第二部分 考試內(nèi)容

一、考試要求

要求考生全面系統(tǒng)地掌握模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)的基本概念、基本電路、基本分析和設(shè)計(jì)方法，熟悉其在電子信息領(lǐng)域的工程應(yīng)用，并能靈活運(yùn)用所學(xué)知識(shí)，具備一定的分析問題與解決問題的能力。

二、考試內(nèi)容

本學(xué)科的考查要點(diǎn)包括：考生對(duì)模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)的理解及掌握情況，并應(yīng)用基本概念、基本電路、基本分析和設(shè)計(jì)方法解決電子工程領(lǐng)域?qū)嶋H工程問題的能力。

第1部分 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

1.常用半導(dǎo)體器件原理及特性

基本要求：理解半導(dǎo)體的基本知識(shí)和構(gòu)成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)——PN結(jié)的形成及其特性;掌握常用半導(dǎo)體器件——二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的物理結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)。

2.分立半導(dǎo)體器件基本電路

基本要求：掌握分析分立半導(dǎo)體器件基本電路的圖解分析方法和簡(jiǎn)化(小信號(hào))模型分析方法，能夠運(yùn)用上述分析方法對(duì)分立半導(dǎo)體器件基本電路的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行分析及計(jì)算;理解基于三端放大器件(FET和BJT)基本放大電路的構(gòu)成要素、工作原理及不同放大組態(tài)的特點(diǎn);理解放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)動(dòng)態(tài)工作的影響及典型工作點(diǎn)穩(wěn)定電路的原理，掌握放大電路產(chǎn)生非線性失真的原因及其改善措施;理解分立半導(dǎo)體放大電路中的電抗性元件對(duì)放大電路頻率特性的影響。

3.模擬集成電路的單元電路

基本要求：理解模擬集成電路中普遍使用直流偏置技術(shù)的作用，理解由FET和BJT構(gòu)成的典型電流源電路的原理及特性;理解差模信號(hào)和共模信號(hào)的概念，理解模擬集成電路中引入差分式放大電路的作用和意義;掌握由三端放大器件(FET和BJT)構(gòu)成的典型差分放大電路的工作原理、靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)的分析、計(jì)算。

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